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貴州大學電子科學與技術學科經過近50年的發展，已經形成一個在全國具有一定影響力、在貴州省具有不可替代地位的強勢學科。

本學科的總體目標是以基礎研究為源泉，以材料帶器件、以器件帶系統，在新型電子材料、新型信息處理器件和集成信息系統領域，為西部的信息產業以及國防軍工企業提供本土化的人才支撐、原創性的研究成果。學科在211建設經費、國家特色專業建設經費和貴州省重點實驗室和重點學科建設經費的支持下，形成了三個特色鮮明的學科平臺：

微電子、納電子器件基礎研究、加工和表征平臺（專用設備總值約1000萬元）；

微電子、納電子信息系統設計平臺（專用設備總值約500萬元）；

微電子、納電子集成和應用平臺（專用設備總值約500萬元）。

依托三個平臺，有利于在橫向實現信息科學、新材料科學、先進制造技術的交叉與融合，在縱向實現微電子學、光電子學、納電子學的交叉與融合。

本學科的總體研究方向可概括為微、納信息材料、器件、系統和集成技術研究和應用開發。近期的主要研究工作包括：先進光電子材料與器件，低維半導體特性及機理研究，集成電路設計、特種半導體器件、功率器件與功率集成電路研究和應用開發。

代表性的研究工作舉例如下：

1、在先進光電子材料與器件研究方向，謝泉教授的研究團隊從2001年開始開展硅化物光電子材料與器件的研究工作，并在世界上首次測試出β-FeSi2薄膜在強磁場30T下巨磁阻達到40%，實驗結果被2003年5月20號的日本工業新聞報道。

2、在低維半導體特性及機理研究方向，丁召教授等做出了高水平的研究成果，在Science，PRL等國際頂級期刊發表多篇學術論文。研究小組發現硅基量子點結構造成的能帶變化有增強的光致發光（PL）發光。采用脈沖激光加工的方法在硅基上生成量子點結構，并提出相應物理模型解釋PL增強發光乃至受激發光的機理。

3、在等離子體與材料相互作用的原位和實時分析裝置的研究方面，在國際上首次將低能、低角度離子束散射技術引入等離子體薄膜沉積和刻蝕機理的原位和實時研究。

4、在超導電子學方向，研究小組是國際最早采用物理化學氣相沉積方法成功制備硼化鎂超導薄膜的團隊之一。早在2001年就用化學氣相沉積兩步法在多晶氧化鋁襯底上制備出轉變溫度為35K以上的超導薄膜，甘子釗院士對此給予高度評價。

5、完成多項為國防重點工程配套的新型電子器件及集成電路產品研制任務，取得較好的社會經濟效益。