• 2026考研英語全程班 6班
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0809 電子科學(xué)與技術(shù)（應(yīng)用型）

一、培養(yǎng)目標

應(yīng)具有較堅實的數(shù)學(xué)、物理基礎(chǔ)知識，掌握本學(xué)科的理論基礎(chǔ)及系統(tǒng)的專門知識，掌握本學(xué)科堅實的應(yīng)用技術(shù)、相關(guān)實驗技術(shù)。掌握一門外語，具有從事科學(xué)研究工作及獨立從事專門技術(shù)工作的能力以及嚴謹求實的科學(xué)態(tài)度和工作作風(fēng)，能勝任研究機構(gòu)、高等院校和產(chǎn)業(yè)部門有關(guān)方面的教學(xué)、研究、工程開發(fā)及管理工作。

二、研究方向

本學(xué)科的研究方向有如下方面：

1．物理電子學(xué)

帶電粒子光學(xué)現(xiàn)代理論和計算技術(shù)，微納米器件電子束加工與檢測技術(shù)，強流電子束物理和高功率微波技術(shù)，氣體與等離子體電子學(xué)，信息顯示器件與技術(shù)，納光子學(xué)基礎(chǔ)理論和實驗技術(shù)，新型光子材料與器件，紫外光信息存儲，光通信器件和全光網(wǎng)絡(luò)。

2．電路與系統(tǒng)

VLSI電路與系統(tǒng)設(shè)計，電路與系統(tǒng)CAD及設(shè)計自動化，數(shù)字圖象與數(shù)字視頻處理，功率電子學(xué)，非線性電路與系統(tǒng)，信息顯示系統(tǒng)設(shè)計與實現(xiàn)。

3．微電子學(xué)與固體電子學(xué)

深亞微米器件模型與仿真，微波功率器件及其集成，化合物半導(dǎo)體器件；深亞微米工藝集成；片上系統(tǒng)、超大規(guī)模集成電路及ASIC設(shè)計與測試；微電子機械系統(tǒng)設(shè)計與制造；納米電子材料與器件，電子陶瓷材料與器件，鐵電單晶材料，鐵電薄膜與器件，機敏材料與器件，納米復(fù)合功能材料與器件，電解質(zhì)材料與器件。

4．電磁場與微波技術(shù)

電磁場理論與技術(shù)：電磁場理論與應(yīng)用，天線理論與技術(shù)，電波傳播，復(fù)雜介質(zhì)中的場與波，電磁散射與逆散射，環(huán)境電磁學(xué)與電磁兼容技術(shù)，計算電磁學(xué)。微波與毫米波理論與技術(shù)：微波電路，微波網(wǎng)絡(luò)，微波集成電路，微波測量理論與技術(shù)，微波信息處理與成像。

三、學(xué)習(xí)年限

全日制攻讀碩士學(xué)位的學(xué)習(xí)年限2.5~3年。

四、培養(yǎng)方式

1．在指導(dǎo)上采取導(dǎo)師負責(zé)或?qū)W術(shù)群體集體培養(yǎng)相結(jié)合的方法。導(dǎo)師應(yīng)根據(jù)本方案的要求，在碩士生入學(xué)后1周內(nèi)，制訂出碩士生的培養(yǎng)計劃。

2．對碩士生的培養(yǎng)采取課程學(xué)習(xí)和論文工作并重的方式，兩者均不得少于一年。

3．碩士生課程學(xué)習(xí)總學(xué)分要求為26學(xué)分，其中學(xué)位課不少于18學(xué)分；另外要求必修環(huán)節(jié)4學(xué)分，其中講座環(huán)節(jié)2學(xué)分，實踐環(huán)節(jié)2學(xué)分。

4．碩士生的學(xué)習(xí)以授課與課堂討論形式進行。碩士生必須參加全校范圍的 “學(xué)術(shù)講座”及與學(xué)科緊密相關(guān)的“學(xué)科前沿系列專題講座”。要求碩士生在全校范圍內(nèi)選聽“學(xué)術(shù)講座”8次，完成后記1學(xué)分；至少選聽一個系列“學(xué)科前沿系列專題講座”，完成后記1學(xué)分。

5．完成實踐能力的鍛煉，注重所學(xué)基礎(chǔ)理論的實際應(yīng)用技能培養(yǎng)。

五、課程學(xué)習(xí)

六、學(xué)位論文

1．碩士生在論文開始前要進行文獻閱讀和綜述、生產(chǎn)實際的調(diào)查研究，并至遲在第三學(xué)期末提出學(xué)位論文的書面選題報告，經(jīng)導(dǎo)師同意和學(xué)術(shù)群體審定確認后，制訂論文工作計劃，開展研究工作。論文選題必須對國民經(jīng)濟或在學(xué)術(shù)上有一定的意義。

2．論文必須由碩士生在導(dǎo)師指導(dǎo)或?qū)W術(shù)群體的幫助下獨立完成，并根據(jù)《中華人民共和國學(xué)位條例暫行實施辦法》的精神進行評審和答辯。