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云南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院研究生導(dǎo)師王茺介紹如下：

王   茺

(Data Last updated Feb. 19, 2019)

理學(xué)博士，研究員，碩士生導(dǎo)師，云南省引進(jìn)高層次人才，并入選云南省“萬人計(jì)劃青年拔尖人才”和“中青年學(xué)術(shù)技術(shù)帶頭人后備人才”培育計(jì)劃。擔(dān)任中國材料研究學(xué)會(huì)青年工作委員會(huì)理事，中國物理學(xué)會(huì)終身會(huì)員。

一直從事科研和教學(xué)工作。為本科生講授《能源材料》、《工程力學(xué)》和《固體物理》等課程，曾為碩士研究生講授《材料制備與合成》和《紅外光電子材料》等課程。共主持包括國家自然科學(xué)基金、教育部重點(diǎn)、云南省應(yīng)用基礎(chǔ)面上項(xiàng)目在內(nèi)的12個(gè)科研項(xiàng)目。迄今已發(fā)表SCI收錄論文60余篇（其中以第一作者和通訊作者發(fā)表SCI收錄論文43篇），共被引用870余次，H因子為15。共獲得7項(xiàng)發(fā)明專利授權(quán)。

一、受教育經(jīng)歷：

1. 2004/03－2007/01，中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所，紅外物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，博士（導(dǎo)師：陸衛(wèi)）

2. 2001/09－2004/01，昆明理工大學(xué)，材料系，碩士（導(dǎo)師：張鵬翔）

3. 1997/09－2001/07，云南大學(xué)，物理系，學(xué)士

二、工作經(jīng)歷：

1. 2018/03至今，云南大學(xué)，材料科學(xué)與工程學(xué)院，教學(xué)科研

2. 2017/03－2018/03，美國休斯敦大學(xué)，電子工程系，訪問學(xué)者

3. 2016/01－2017/06，云南大學(xué)，材料科學(xué)與工程學(xué)院，教學(xué)科研

4. 2007/07－2015/12，云南大學(xué)，工程技術(shù)研究院，教學(xué)科研

三、20篇代表性論文（*表示通訊作者，#表示共同一作）

[1] L.X. Ouyang#, C. Wang#,*, X.X. Feng, J. Yang, F. Qiu, R.F. Wang, Y. Yang, “Light emitting properties of Si+ self-ion implanted silicon-on-insulator from visible to infrared band”, Optics Express, 26(2018) 15899-15906.

[2] M. McDowell, A. Metzger, C. Wang, J.M. Bao, J.M. Tour, A.A. Marti, “Singular wavelength dependence on the sensitization of lanthanides by graphene quantum dots”, Chemical Communications, 54(2018) 4325-4328.

[3] Q.J. Shu, J. Yang, Q.B. Chi, T. Sun, C. Wang*, Y. Yang, “Microstructure and optical response optimization of Ge/Si quantum dots transformed from the sputtering-grown Ge thin film by manipulating the thermal annealing”, Nanotechnology, 29 (2018) 045602.

[4] J. Yang, M.L. Zhang, X. Lan, X.K. Weng1, R.F. Wang, F. Qiu, C. Wang*, Y. Yang, “Controllable Fabrication of Non-Close-Packed Colloidal Nanoparticle s by Ion Beam Etching”, Nanoscale Research Letters, 13 (2018)177.

[5] L. Tong, F. Qiu, T.J. Zeng, J. Long, J. Yang, R.F. Wang, J. Zhang, C. Wang*, T. Sun, Y. Yang*, “Recent progress in the preparation and application of quantum dots/graphene composite materials”, RSC Advances, 7 (2017)47999-48018.

[6] J. Yang, B. Zhao, C. Wang*, F. Qiu, R.F. Wang, Y. Yang, “Improving the growth of Ge/Si islands by modulating the spacing between screen and accelerator grids in ion beam sputtering deposition system”, Applied Surface Science, 386 (2016) 303-308.

[7] C. Wang*, S.Y. Ke, J. Yang, Y. Yang, “Review of quantum dot-in-a-well infrared photodetectors and prospect of new structures”, Journal Nanoscience and Nanotechnology, 16 (2016) 8046-8054.

[8] P. He, C. Wang*, C. Li, J. Yang, F. Qiu, R.F. Wang, Y. Yang, “Optical properties of the low-energy Ge-implanted and annealed SiO2 films”, Optical Materials, 46 (2015) 491-496.

[9] C. Wang*, S.Y. Ke, J. Yang, F. Qiu, R.F. Wang, Y. Yang, “Electronic properties of single Ge/Si quantum dot grown by ion beam sputtering deposition”, Nanotechnology, 26 (2015) 105201.

[10] C. Wang, Y. Yang, Z.F. Li, X.S. Chen, S.C. Shen, J.M. Liu, W. Lu, “Manipulation of quantum interference effects in La0.39Pr0.28Ca0.33MnO3-δ film by p-n junction at high temperature”, Journal of Applied Physics,103 (2008) 103705-103710.

[11] C. Wang, B. Zhang, C.S. Xia, T.X. Li, X.S. Chen, W. Lu, Q. Gong, “Optical transitions of surface InAs/GaAs (311B) quantum dots clearly identified by the piezoreflectance technique”, Applied Surface Science, 254 (2008) 4626-4631.

[12] C. Wang, Z.F. Li, X. M. Chen, J.M. Liu, H.Y. Cui, Y. Yang, W. Lu. “Study on carrier behavior in La0.9Ba0.1MnO3-δ/SrTiO3:Nb p-n heterojunction”, Thin Solid Films, 516 (2008) 4282-4287.

[13] C. Wang, P. P. Chen, N. Y. Tang, C. S. Xia, W. Lu. “Piezomodulated and photomodulated reflectivity study of strained InGaAs/GaAs single quantum well”. Phys. Lett. A, 350 (2006) 269-273.

[14] S.Y. Ke, J. Yang, F. Qiu, Z.Q. Wang, C. Wang∗, Yu Yang, “Secondary growth mechanism of SiGe islands deposited on a mixed-phase microcrystalline Si by ion beam co-sputtering”, Nanotechnology, 26 (2015) 445602.

[15] S.Y. Ke, S. Ye, J. Yang, Z.Q. Wang, C. Wang*, Yu Yang, “Morphological evolution of self-assembled SiGe islands based on a mixed-phase pre-SiGe island layer grown by ion beam sputtering deposition”, Applied Surface Science, 328 (2015) 387-394.

[16] Y. Yang*, J.M. Bao, C. Wang*, M.J. Aziz, “Sub-bandgap luminescence centers in silicon created by self-ion implantation and thermal annealing”, Journal of Applied Physics, 107(2010) 123109.

[17] Z. Zhang , R.F. Wang , J. Zhang , H.S. Li, J Zhang, F Qiu, J Yang , C. Wang*, Y Yang, “Direct growth of Ge quantum dots on the graphene/SiO2/Si structure by using ion beam sputtering deposition”, Nanotechnology, 27 (2016) 305601.

[18] J. Yang, B. Zhao, C. Wang*, F. Qiu, R.F. Wang, Y. Yang, “Improving the growth of Ge/Si islands by modulating the spacing between screen and accelerator grids in ion beam sputtering deposition system”, Applied Surface Science, 386 (2016) 303-308.

[19] Y. Yang, J.M. Bao, C. Wang*, M.J. Aziz, “Sub-bandgap luminescence centers in silicon created by self-ion implantation and thermal annealing”, Journal of Applied Physics, 107(2010) 123109.

[20] J. Chen, S.X. Wang, S. Zhang, X.J. Yang, Z.J. Huang, C. Wang, Q.Y. Wei, G.L. Zhang, J. Xiao, F.Z. Jiang, J. Chang, X. Xiang, J. Wang, “Arsenic pollution and its treatment in Yangzonghai lake in China: In situ remediation”, Ecotoxicology and Environmental Safety, 122(2015) 178-185.

四、研究方向

1. 全無機(jī)鈣鈦礦光電子材料與器件；

2. 稀磁摻雜量子點(diǎn)自旋電子材料；

3. 硅基量子點(diǎn)及其光電探測(cè)器件；

4. 硅基發(fā)光材料與器件。 

五、科研相關(guān)榮譽(yù)

1. 2018年6月，云南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)（科技進(jìn)步類），特等獎(jiǎng)，排名第6；

2. 2018年6月，云南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)（自然科學(xué)類），一等獎(jiǎng)，排名第2；

3. 2011年6月，云南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)（自然科學(xué)類），二等獎(jiǎng)，排名第2；

4. 2004年6月，云南省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)（自然科學(xué)類），二等獎(jiǎng)，排名第8；

5. 2014年10月，云南省引進(jìn)高層次人才，二等獎(jiǎng)，獨(dú)立獎(jiǎng)；

6. 2006年12月，中國科學(xué)院大恒集團(tuán)光學(xué)獎(jiǎng)學(xué)金，特別獎(jiǎng)，獨(dú)立獎(jiǎng)。

六、治學(xué)理念

志于道，據(jù)于德，依于仁，游于藝。

七、聯(lián)系方式

通訊地址：昆明市呈貢大學(xué)城東外環(huán)南路，云南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；

郵政編碼：650500；

電子郵箱：cwang@ynu.edu.cn 或者cwang6@163.com；

QQ號(hào)碼：1311435496。