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2021年西安交通大學849半導體物理與器件考研參考書目及考試大綱
從西安交通大學研究生招生信息網獲悉，2021年全國碩士研究生招生考試西安交通大學849半導體物理與器件參考書目及考試大綱公布，內容如下：
2021年半導體物理與器件（849）考試大綱
考試科目：半導體物理
考試形式和試卷結構
一、試卷滿分及考試時間
試卷滿分為150分，考試時間為180分鐘．
二、試卷內容結構
半導體物理 約75%
半導體器件約25%
三、試卷題型結構
簡答題 10道題 共100分
解答題（包括畫圖、計算等） 5道題，共50分
考試范圍
1.半導體中的電子狀態
2.半導體中雜質和缺陷能級
3.半導體中載流子的統計分布
4.半導體的導電性
5.非平衡載流子
6.PN結
7.金屬和半導體接觸
8.半導體表面和MIS結構
9.異質結的基礎概念
10.半導體的光學性質
11.霍耳效應
參考書目：
《半導體物理學 (第七版)》劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業出版社，2011年3月1日出版，ISBN:9787121129902
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