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820--《半導體物理》考試大綱

一、基本要求

《半導體物理》碩士研究生入學考試內容主要包括半導體物理的基本概念、基礎理論和基本計算;考試命題注重測試考生對相關的物理基本概念的理解、對基本問題的分析和應用，強調物理概念的清晰和對半導體物理問題的綜合分析。

二、考試范圍

1、 半導體中電子狀態

1.1 半導體的晶格結構和結合性質

1.2 半導體中的電子狀態和能帶

1.3 半導體中電子的運動 有效質量

1.4 本征半導體的導電機構 空穴

1.5 回旋共振

1.6 硅，鍺和砷化鎵的能帶結構

2、 半導體中雜質和缺陷能級

2.1 硅、鍺晶體中的雜質能級

2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質能級

2.3 缺陷、位錯能級

3、 半導體中載流子的統計分布

3.1 狀態密度

3.2 費米能級和載流子的統計分布

3.3 本征半導體的載流子濃度

3.4 雜質半導體的載流子濃度

3.5 一般情況下的載流子統計分布

3.6 簡并半導體

4、 半導體的導電性

4.1 載流子的漂移運動 遷移率

4.2 載流子的散射

4.3 遷移率與雜質濃度和溫度的關系

4.4 電阻率及其與雜質濃度和溫度的關系

4.5 玻耳茲曼方程 電導率的統計理論

4.6 強電場下的效應 熱載流子

5、 非平衡載流子

5.1 非平衡載流子的注入和復合

5.2 非平衡載流子的壽命

5.3 準費米能級

5.4 復合理論

5.5 陷阱效應

5.6 載流子的擴散運動

5.7 載流子的漂移運動,愛因斯坦關系式

5.8 連續性方程

6、 p-n結

6.1 p-n結及其能帶圖

6.2 p-n結電流電壓特性

6.3 p-n結電容

6.4 p-n結擊穿

7、金屬和半導體接觸

7.1 金屬半導體接觸及其能級圖

7.2 肖特基勢壘二極管

8、半導體表面與MIS結構

8.1 表面電場效應

8.2 理想MIS結構的電容-電壓特性