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820--《半導(dǎo)體物理》考試大綱

一、基本要求

《半導(dǎo)體物理》碩士研究生入學(xué)考試內(nèi)容主要包括半導(dǎo)體物理的基本概念、基礎(chǔ)理論和基本計(jì)算;考試命題注重測(cè)試考生對(duì)相關(guān)的物理基本概念的理解、對(duì)基本問(wèn)題的分析和應(yīng)用，強(qiáng)調(diào)物理概念的清晰和對(duì)半導(dǎo)體物理問(wèn)題的綜合分析。

二、考試范圍

1、半導(dǎo)體中電子狀態(tài)

1.1半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)

1.2半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶

1.3半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)有效質(zhì)量

1.4本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴

1.5回旋共振

1.6硅，鍺和砷化鎵的能帶結(jié)構(gòu)

2、半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)

2.1硅、鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)

2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的雜質(zhì)能級(jí)

2.3缺陷、位錯(cuò)能級(jí)

3、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布

3.1狀態(tài)密度

3.2費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布

3.3本征半導(dǎo)體的載流子濃度

3.4雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度

3.5一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布

3.6簡(jiǎn)并半導(dǎo)體

4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性

4.1載流子的漂移運(yùn)動(dòng)遷移率

4.2載流子的散射

4.3遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

4.4電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系

4.5玻耳茲曼方程電導(dǎo)率的統(tǒng)計(jì)理論

4.6強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)熱載流子

5、非平衡載流子

5.1非平衡載流子的注入和復(fù)合

5.2非平衡載流子的壽命

5.3準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)

5.4復(fù)合理論

5.5陷阱效應(yīng)

5.6載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)

5.7載流子的漂移運(yùn)動(dòng),愛(ài)因斯坦關(guān)系式

5.8連續(xù)性方程

6、p-n結(jié)

6.1p-n結(jié)及其能帶圖

6.2p-n結(jié)電流電壓特性

6.3p-n結(jié)電容

6.4p-n結(jié)擊穿

7、金屬和半導(dǎo)體接觸

7.1金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖

7.2肖特基勢(shì)壘二極管

8、半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)

8.1表面電場(chǎng)效應(yīng)